韓国半導体大手のSKハイニックスは19日、ファウンドリー(半導体の受託製造)世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC)と技術協力に向けた覚書を交わし、2026年に量産予定の第6世代の高帯域メモリー(HBM)「HBM4」を開発すると発表した。
SKハイニックスとTSMCは、HBMパッケージ内の下段に搭載されるベースダイの性能を改善する。HBMはベースダイの上にDRAMチップをシリコン貫通電極(TSV)技術で垂直に積層する。ベースダイは画像処理装置(GPU)に連結され、HBMを統制する役割を担う。
■ロジック超微細先端工程を活用
SKハイニックスは第5世代の「HBM3E」までは自社のDRAM工程でベースダイを生産してきたが、HBM4からはTSMCが保有するロジック超微細先端工程を活用する。超微細工程を適用することで、さまざまな機能が追加できるという。
米半導体大手のエヌビディアはGPU向けのHBMをSKハイニックスから調達し、それをTSMCがパッケージングしている。SKハイニックスはTSMCとの協力によりHBMの技術革新を進めるとともに、顧客・ファウンドリー・メモリーの3者間の技術協力をベースにメモリーの性能向上を目指す。
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■ロジック超微細先端工程を活用
SKハイニックスは第5世代の「HBM3E」までは自社のDRAM工程でベースダイを生産してきたが、HBM4からはTSMCが保有するロジック超微細先端工程を活用する。超微細工程を適用することで、さまざまな機能が追加できるという。
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