韓国半導体大手のＳＫハイニックスは21日、記憶素子を321層に積み重ねた１テラビットトリプル・レベル・セル（ＴＬＣ）４次元（４Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表した。2025年上半期から供給を開始する予定だ。
321層製品は前世代に比べてデータ伝送速度は12％、読み出し性能は13％、それぞれ向上。データ読み出しの電力効率は10％以上高まった。
同社は321層製品の開発に向けて新技術を導入したほか、前世代である238層製品の開発プラットフォームを321層にも適用して工程変化を最小化したことで、生産性を59％向上させた。
■ＡＩストレージ市場の攻略加速
同社は300層以上のＮＡＮＤ型フラッシュの量産を開始したことで、人工知能（ＡＩ）データセンター用ソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）やパソコンなどのデバイス上で稼働する「オンデバイスＡＩ」など、ＡＩストレージ市場の攻略に有利になると見込んでいる。

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同社は321層製品の開発に向けて新技術を導入したほか、前世代である238層製品の開発プラットフォームを321層にも適用して工程変化を最小化したことで、生産性を59％向上させた。

■ＡＩストレージ市場の攻略加速

同社は300層以上のＮＡＮＤ型フラッシュの量産を開始したことで、人工知能（ＡＩ）データセンター用ソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）やパソコンなどのデバイス上で稼働する「オンデバイスＡＩ」など、ＡＩストレージ市場の攻略に有利になると見込んでいる。"
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