パワー半導体の開発・製造を手がける米シリコン・パワー・グループは、半導体材料であるシリコンカーバイド（炭化ケイ素、ＳｉＣ）の工場をインド東部オディシャ（オリッサ）州に設置する方針だ。投資予定額は100億ルピー（約169億円）。ＰＴＩ通信が27日伝えた。
ＰＴＩ通信によると、工場設置は、インド子会社ＲｉＲパワー・エレクトロニクスを通じて実施する。18～24カ月以内の操業開始を目指すという。
投資誘致のため、米国を訪問した州政府関係者がシリコン・パワーと基本合意書を交わした。オディシャ州にシリコンカーバイド工場が設置されるのは初めて。

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