ファウンドリー(半導体の受託製造)世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC)は27日、最先端の2ナノメートル(ナノは10億分の1)製造プロセスについて、従来計画通り2025年に量産に入る予定だと明らかにした。
TSMCの発表によると、同社は米国時間の26日、米カリフォルニア州サンタクララで技術フォーラムを開催。2ナノや3ナノといった最新の製造プロセスの開発状況などを報告した。このうち2ナノは、現時点の進捗(しんちょく)は良好で、計画通り25年に量産を開始できるとの見通しを示した。
既に量産に入った3ナノについては、強化版の「N3E」が年内に量産に入る計画。エネルギー消費や密度を向上した「N3P」は24年下半期(7~12月)、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)向けの「N3X」は25年をめどにそれぞれ量産を開始する。N3Eをベースに車載半導体の回路設計情報をまとめた「N3AE」は、年内の発表を予定している。
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TSMCの発表によると、同社は米国時間の26日、米カリフォルニア州サンタクララで技術フォーラムを開催。2ナノや3ナノといった最新の製造プロセスの開発状況などを報告した。このうち2ナノは、現時点の進捗(しんちょく)は良好で、計画通り25年に量産を開始できるとの見通しを示した。
既に量産に入った3ナノについては、強化版の「N3E」が年内に量産に入る計画。エネルギー消費や密度を向上した「N3P」は24年下半期(7~12月)、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)向けの「N3X」は25年をめどにそれぞれ量産を開始する。N3Eをベースに車載半導体の回路設計情報をまとめた「N3AE」は、年内の発表を予定している。"
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