ファウンドリー（半導体の受託製造）世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は27日、最先端の２ナノメートル（ナノは10億分の１）製造プロセスについて、従来計画通り2025年に量産に入る予定だと明らかにした。
ＴＳＭＣの発表によると、同社は米国時間の26日、米カリフォルニア州サンタクララで技術フォーラムを開催。２ナノや３ナノといった最新の製造プロセスの開発状況などを報告した。このうち２ナノは、現時点の進捗（しんちょく）は良好で、計画通り25年に量産を開始できるとの見通しを示した。
既に量産に入った３ナノについては、強化版の「Ｎ３Ｅ」が年内に量産に入る計画。エネルギー消費や密度を向上した「Ｎ３Ｐ」は24年下半期（７～12月）、ハイパフォーマンスコンピューティング（ＨＰＣ）向けの「Ｎ３Ｘ」は25年をめどにそれぞれ量産を開始する。Ｎ３Ｅをベースに車載半導体の回路設計情報をまとめた「Ｎ３ＡＥ」は、年内の発表を予定している。

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ＴＳＭＣの発表によると、同社は米国時間の26日、米カリフォルニア州サンタクララで技術フォーラムを開催。２ナノや３ナノといった最新の製造プロセスの開発状況などを報告した。このうち２ナノは、現時点の進捗（しんちょく）は良好で、計画通り25年に量産を開始できるとの見通しを示した。

既に量産に入った３ナノについては、強化版の「Ｎ３Ｅ」が年内に量産に入る計画。エネルギー消費や密度を向上した「Ｎ３Ｐ」は24年下半期（７～12月）、ハイパフォーマンスコンピューティング（ＨＰＣ）向けの「Ｎ３Ｘ」は25年をめどにそれぞれ量産を開始する。Ｎ３Ｅをベースに車載半導体の回路設計情報をまとめた「Ｎ３ＡＥ」は、年内の発表を予定している。"
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